Transistor NPN silicio 2N6295

Descripción

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 120 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750